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微弧氧化過程的電能消耗過高，限制了該技術的應用和發展。降低能耗的關鍵在于微弧氧化脈沖電源的設計及電源輸出與負載特性的相互匹配，但微弧氧化的過程和成膜機理十分復雜，電源負載特性的研究并不十分深入，僅由電化學學者提出基于陽極氧化的簡單理論計算模型，這對脈沖電源設計的指導意義非常有限。因而，深入分析實際應用場合下微弧氧化電源的負載特性，得出其等效電路模型是十分有意義的。哈爾濱工業大學的楊威、趙玉峰等人基于電化學原理，通過電化學阻抗譜分析方法，對自主設計的微弧氧化方波脈沖直流源作用下的電解槽負載進行理論建模，然后通過測量實驗曲線和數據，進行參數擬合的方法對理論模型進行定量分析和表征。Z后利用得到的實驗結果、計算結果和仿真結果，來驗證建立的負載等效電路模型及其定量表征的有效性。微弧氧化工藝的原理如圖 1.1 所示。微弧氧化脈沖電源的負載主要包括：輸電線路、電解溶液、金屬基體和氧化膜層。
微弧氧化工藝原理
發生微弧放電時，初始氧化膜層發生放電擊穿，在基體和電解溶液間形成放電通道。
